II-VI 族半导体具有大的禁带宽度、较大的激子束缚能和强的室温激子效应,一向被认为是制备室温激子非线性器件和短波长发光器件的重要侯选材料之一。利用激子隧穿效应制备出各种低维复合结构并对激子隧穿和辐射复合过程进行研究,这无论是对基础理论研究还是对器件实际应用方面都具有重要意义。本论文利用瞬态和稳态光谱技术研究了ZnTe 基复合量子阱结构和ZnSe基量子点/量子阱复合结构中的激子隧穿和复合过程。取得了如下结果: 1、利用泵浦-探测方法研究了ZnTe/ZnSeTe 量子阱中的载流子动力学过程,表明ZnSeTe 层对载流子具有很强的限制作用。在此基础上,研究了(CdZnTe, ZnSeTe)/ZnTe 复合量子阱中的载流子动力学过程,发现由于在CdZnTe 量子阱旁加入了ZnSeTe 量子阱层使得CdZnTe 中载流子的衰减时间大大缩短,证明在该复合结构中存在着从CdZnTe 阱向ZnSeTe 阱的高效率激子隧穿,得到隧穿时间仅为5.5 ps。2、研究CdSe 量子点/ZnSe/ZnCdSe 量子阱复合结构中激子在量子阱与量子点间的隧穿过程。通过对不同垒厚的点/阱复合结构发光特性测量,证实了该结构中隧穿现象的存在。并利用泵浦-探测技术测量了阱中激子的衰减时间,最短可达1.8ps。3、通过变温光谱测量,研究了在点/阱复合结构中,激子离化和激子隧穿在激子复合过程中的作用。根据量子点和量子阱中激子辐射跃迁强度、峰位、线宽随温度的变化关系,讨论了激子隧穿对量子点中激子发光的影响,从而进一步认识这种复合结构的发光机理。