物联网时代的发展,伴随着海量的信息,导致半导体市场对非易失性存储器的性能要求日益增高。因此,阻变存储器（RRAM）由于其高集成度、高速度、高容量以及低功耗等特点成为了新型非易失性存储器的首选。近年来,新型纳米材料与有机材料的复合薄膜,被广泛运用于制备阻变存储器件,并且展示出优异的阻变性能。本论文以有机材料聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）做阻变层为研究基础,以加入新型纳米材料碳量子点后的复合薄膜材料为核心,开展了围绕Al电极和Ag电极两种不同阻变机理的阻变存储器件的研究工作。本文首先对加入碳量子点前后的Al电极器件分别进行阻变性能测试。此外,对加入碳量子点的器件的数据保持特性、耐受性、可重复性等阻变性能参数进行了深入研究,利用限制电流对其进行了调制。实验结果表明,加入碳量子点的器件具有300次以上的阻变循环以及极高的阻变重复性,并且能够在10000 s内保持10倍左右的开关窗口,在限制电流的调控下能够保持接近200次的阻变循环重复性。最后,对加入碳量子点的Al电极器件的阻变机理进行探究,说明了Al电极器件为价态变化型阻变存储器件,氧空位在碳量子点的引导下形成导电细丝,发生阻变行为。对于Ag/PMMA＆CQDs/FTO器件,本文将五种（0%,0.25%,0.50%,0.75%,1.0%）不同的碳量子点浓度,分别加入五份相同体积的PMMA溶液中,将其制备成五组器件,对它们的电学性能分别进行测试。通过对其阻变循环的可重复性和切换电压的结果分析,浓度组为0.50%体积比的阻变器件展示了最优的阻变性能。对该器件性能进一步测试的实验结果表明,0.50%体积比的碳量子点器件具有卓越的阻变性能,其阻变重复性可达200次以上,阻变窗口达150倍以上,并且在10000s内的数据保持能力稳定,以及具有极低的切换电压（1.1 V和-1.025 V）。此外,本文进一步对Ag电极器件的阻变机理进行分析,说明了Ag电极器件的阻变切换行为主要依赖于Ag离子受碳量子点引导的迁移,在碳量子点的附近形成和断裂导电细丝。最后,碳量子点在阻变层中的电场模的COMSOL仿真,验证了碳量子点在阻变层中对局部电场的增强作用,从而降低了导电细丝的随机性。