【摘 要】
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本文首先回顾了近半个世纪以来国内外对cBN 的研究进展,然后比较详细介绍了cBN 的结构以及应用,cBN 作为一种新型的人工合成的宽禁带半导体,具有闪锌矿结构,它具有很宽的能隙
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本文首先回顾了近半个世纪以来国内外对cBN 的研究进展,然后比较详细介绍了cBN 的结构以及应用,cBN 作为一种新型的人工合成的宽禁带半导体,具有闪锌矿结构,它具有很宽的能隙(Eg=6.3eV),非常稳定的化学性质和热学性质,以及很高的硬度,所以它不仅是加工铁族及其合金的更为有效的工具材料,而且更重要的是,cBN 的优异性能使它成为制作大功率、短波长、耐高温器件的理想材料,具有很广阔的应用前景。我们研究了在高温高压下合成的非故意掺杂cBN 单晶的一些半导体性质,并取得了一些较好的结果。接着我们研究了在高温高压下合成的非故意掺杂cBN 单晶的热激发电流(TSC),利用cBN 的TSC谱线初步确定了cBN单晶内部陷阱能级的位置。而且,在实验过程中,我们采用合理的电极结构,比较成功的解决了由于cBN 单晶尺寸过小给实验、测量带来的困难。最后,我们测量了非故意掺杂cBN 单晶的伏安特性,发现cBN 的I～V关系是非线性的,而且当电压增加到一定程度时(～400V),出现了负阻效应。我们利用空间电荷限制电流理论和普尔—弗兰克尔(poor-frenkel)效应分别解释了不同电压范围的I～V 关系的非线性;对于负阻效应,我们认为是被内部陷阱能级俘获的非平衡载流子重新激发而引起的。
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