六方氮化硼（Hexagonal boron nitride）是一种天然双曲材料,相较于金属或人工合成的双曲超材料,拥有更良好的光学响应和更低的光损耗。离子晶体可以在太赫兹到中红外区间与入射电磁波发生耦合,产生声子极化子,进而拥有特殊的光学性质。本论文设计了由hBN与离子晶体AlN周期性排列形成hBN/AlN超材料结构,利用经典电磁理论研究了其光学透反射性质及古斯汉欣位移,获得以下主要结论:1.hBN/AlN超材料拥有四个剩余频率带,其中两个主要来源于hBN薄膜,而另外两个主要源于离子晶体AlN的影响。随着主光轴与薄膜表面夹角?的增加,第Ⅰ类型剩余频率带中的反射峰、透射谷和吸收峰对应的频率位置发生红移,而在第Ⅱ类型剩余频率带中则发生蓝移。研究发现,在hBN/AlN超材料中,hBN的填充率对透反射性质具有较强的影响。随着hBN填充率的增加,第一剩余频率带内的反射峰与透射谷宽度在减小,反射率峰值降低;其余三个剩余频率带内透反射性质恰好与其相反,并且仅在由hBN引起的剩余频率带中,透反射率的波峰和波谷会跟随填充率变化而发生频率位置的移动。在hBN薄膜和hBN/Al N超材料的剩余频率带中透反射率都存在明显的非倒易性。2.在探究薄膜结构下hBN材料和hBN/Al N超材料表面透反射性质基础上进一步研究了剩余频率区的古斯-汉欣（GH）位移。研究发现,剩余频率带内发生的正向GH位移与负向GH位移的幅度都会随入射角增大而增大;随着主光轴与薄膜表面间?角的增加,第Ⅰ类型剩余频率带内发生GH位移的频率窗口减小,而第Ⅱ类型剩余频率带内发生GH位移的频率窗口增加。当光轴角度?=?2时,第Ⅰ类型剩余频率带内没有明显的GH位移,而在剩余频率带外的右边界处存在正向GH位移,且位移幅度不随入射角改变,位移频率窗口宽度随入射角增大而增大。当?₌₀时,在第Ⅱ类型剩余频率内会出现类似的现象。