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SiC功率器件在近二十年得到了较快的发展，评价其特性的FOM在不断提高，在不久的将来有望达到SiC材料的理论极限。在这种背景下，本文提出和设计了SiC半超结MOSFET（SSJMOSFET）和浮岛MOSFET（FLIMOSFET）来继续提高SiC器件的性能。在本文中利用Sentaurus TCAD软件，设计并研究了器件性能。主要进行了以下工作：一、SSJMOSFET仿真研究（1）研究了SSJMOSFET的击穿机理；（2）固定BAL掺杂浓度为6×1015cm-3，仿真得到FOM最大时的SSJMOSFET的超结掺杂浓度为6×1015cm-3；研究了此时的电荷失配造成的耐压变化问题。（3）固定超结掺杂浓度为5×1016cm-3，仿真得到了FOM最大时BAL掺杂浓度为1×1016cm-3；BAL掺杂浓度越高，SSJMOSFET的转移特性越好；在FOM达到最大的参数条件下，SSJMOSFET准饱和电流值3.4×10-4A/μm，相比于普通VDMOSFET的准饱和电流值1.5×10-4A/μm有了较大提高。二、FLIMOSFET仿真研究（1）研究了FLI处于漂移区不同位置，具有不同长度，漂移区不同掺杂浓度情况下FLIMOSFET的击穿机理；（2）在设计参数使得器件耐压能力保持基本一致的前提下，随着FLI数量的增大，FLIMOSFET导通电阻不断减小，FOM不断增大，FLIMOSFET在线性区的跨导增大；相比于普通VDMOSFET在栅压为13V时发生准饱和，准饱和电流值为2.2×10-4A/μm，具有3个FLI的FLIMOSFET在栅压为22V才发生准饱和，准饱和电流值为9.8×10-4A/μm，器件的准饱和电压和电流值都得到较大提高。两种结构器件的仿真表明，半超结结构和浮岛结构确实能够突破SiC材料的理论极限，对将来SiC MOSFET制备具有一定的指导意义。