5G技术快速蓬勃发展的今天,对电子器件的要求也越来越严苛,用于电子层间介质的低介电材料的研究也引起了广大科研学者的关注。苯并环丁烯（BCB）具有独特的分子结构,给予一定的加热温度,BCB的四元环就可以打开,形成活性中间体,继续与同种中间体或者含有不饱和键的单体反应,形成固化交联的致密网络,并且整个过程中不需要添加催化剂,也不会有小分子释出影响树脂的加工工艺和性能,其结构对称,分子极化率低,具有良好的成膜性、阻水性和介电性能,这引起众多学者加入对BCB的研究。基于此,本文设计合成了一系列3,6-位双硅基取代苯并环丁烯化合物,其结构中多含极性较低的Si-C键、C-C键以及Si-O-Si键,并且3,6-位取代的单体具有结构的对称性,分子整体的极化率较低,可以有效降低材料的介电常数和介电损耗,苯环的存在也为树脂提供了一定的刚性和力学性能,单体结构中含有较多的BCB基团和双键,在加热条件下多个活性热交联位点间发生交联,一定程度上阻止了分子堆积和畸变极化,进一步提升了树脂的介电性能和力学性能。除此之外,本文在合成3,6-位双取代苯并环丁烯底物的时候,简化了合成步骤,使用Birch还原和氧化反应,直接通过两步得到目标产物,省去了冗长复杂且带有一定危险性的操作,节约成本,提升了效率。1.介绍了通过两步合成3,6-二（二甲基硅基）苯并环丁烯（3,6-D（DMHS）BCB）的实验过程,之后将其与4-乙烯基苯并环丁烯（4-VBCB）通过硅氢加成反应制备了3,6-二[（4-苯并环丁烯基）亚乙基硅基]苯并环丁烯单体（M1）,同时使用1,4-双（二甲基硅基）苯（1,4-D（DMHS）B）与4-VBCB反应制备得到1,4-双[（4-苯并环丁烯基）亚乙基硅基]苯单体（M2）,以此作为对比,探究了交联密度是如何影响树脂相关性能的。2.通过Heck反应合成了1-[（4-苯并环丁烯基）乙烯基]-1’-乙烯基四甲基二硅氧烷（DVS-s-BCB）,使用1,4-D（DMHS）B和经过两步合成的3,6-D（DMHS）BCB单体分别与其反应,得到3,6-二[1-（4-苯并环丁烯基）乙烯基-1’-亚乙基二硅氧基硅基]苯并环丁烯（M3）和1,4-双[1-（4-苯并环丁烯基）乙烯基-1’-亚乙基二硅氧基硅基]苯（M4）,该类单体含有BCB基团的同时也含有不饱和双键,具有更多的活性热交联位点,进一步探究了交联密度对树脂性能的影响。3.使用两步的合成方法,将二甲基烯丙基氯硅烷与BCB反应,成功制备了3,6-二（二甲基烯丙基硅基）苯并环丁烯（3,6-D（DMAS）BCB）单体,产率可达78%,在此基础上与4-溴苯并环丁烯（4-Br BCB）反应生成3,6-二[（4-苯并环丁烯基）亚乙烯基亚甲基硅基]苯并环丁烯单体（M5）,与目前综合性能较好的二乙烯基硅氧烷苯并环丁烯（DVSBCB）树脂进行了结构和性能的比较。综上,本论文提出了简化的两步合成双硅基取代苯并环丁烯化合物的策略,且设计合成了一系列具有对称结构的3,6-位双取代单体,具有较为优异的性能,有望使用在微电子及相关领域。