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由于电子通讯科技的快速发展,对电子元器件的功能化、小型化以及低成本高性能的要求越来越突出,因此开发具有性能优异、经济节约和多功能化的新型材料成为现代电子信息技术发展的重要课题。钨青铜型陶瓷具有优异的介电、铁电、非线性光学等优异性能,广泛应用于电子领域。目前,报道充满型钨青铜型铌酸盐Ba4Sm2Fe2Nb8030(BSFN)陶瓷具有室温多铁性,但是尚存在较大争议。因此,本文以BSFN陶瓷为研究对象,通过微波烧结技术、添加Sr2KNb5015晶粒以及模板晶粒生长技术等手段调控陶瓷结构及性能。(1)通过传统烧结法和微波烧结法制备了充满型钨青铜BSFN致密陶瓷。传统烧结制备的BSFN陶瓷除了四方钨青铜主晶相外,还生成了B Fe12019第二相,显微结构为柱状晶粒。而微波烧结BSFN陶瓷密度更加高,而且为钨青铜纯相,为等轴晶粒。更重要的是,微波烧结制备的BSFN陶瓷具有更好的介电性能和明显的室温多铁性:峰值介电常数(f=1kHz)=695,剩余极化强度Pr=2.16μC/cm2,矫顽场Ec=6.56kV/cm;剩余磁化强度Br=0.43emu/g,矫顽磁场Hc=2930Oe。(2)熔盐法制备SKN模板的最佳合成条件为:熔盐为KC1,原料SrNb206与Nb205的摩尔比为1.0,熔盐中KC1与氧化物的质量之比为1.5,合成温度为1150℃,保温时间为4h。所得模板为长径比3-15纯四方相钨青铜单相Sr2KNb5O15。随着模板SKN含量的增加,BSFN陶瓷的密度与收缩率逐渐下降;BSFN陶瓷介电常数逐渐增大,而居里温度逐渐下降。其中SKN含量5%时,其介电与铁电性能都优于纯BSFN陶瓷,但是其铁磁性能却有所降低。(3)采用模板晶粒生长技术在不同温度下都获得了含有主晶相乌青铜结构BSFN陶瓷,但是含有少量的杂相铌酸锶氧化物。与常规制备方法相比,采用模板晶粒生长技术制备的BSFN陶瓷晶粒呈明显棒状且具有沿同一方向的择优取向度。模板晶粒生长技术制得的BSFN陶瓷介电峰值远大于常规烧结制备的陶瓷,提高近4倍;在相同的频率范围内,模板晶粒生长工艺可以使得BSFN陶瓷介电的介电损耗下降。模板晶粒生长技术制得的BSFN陶瓷比常规烧结具有更好的铁电性能,虽然其矫顽场比传统烧结的陶瓷略大,但是其剩余极化强度从1.25μC/cm2 增加到 2.12μC/cm2。