【摘 要】
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文中首先对用于微波单片集成电路中的有源、无源器件进行了研究.其次,文中研究设计了三种MMIC混频器电路结构,它们分别是单片平衡式双栅MESFET混频器、栅混频器和漏混频器,给
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【出 处】
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中国科学院上海冶金研究所 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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文中首先对用于微波单片集成电路中的有源、无源器件进行了研究.其次,文中研究设计了三种MMIC混频器电路结构,它们分别是单片平衡式双栅MESFET混频器、栅混频器和漏混频器,给出了电路、版图的设计方法,并对三种电路进行了工艺流片.该文分析了AlGaInp/GaAs和GaInP/GaAs HBT的微波功率特性.通过求解热传导方程,分析了HBT的热稳定性.文中对微波自适应干扰抵消系统集成技术进行了研究.应用正交最小二乘算法,建立了微波自适应干扰抵消系统计算机仿真模型,并对系统最佳权值以及收敛特性进行了分析.该文对MMIC平面工艺、台面工艺进行了工艺监控技术研究,实验中总结出了一套行之有效的加工MMIC芯片的工艺方法.最后给出了两种MMIC芯片的测试方法,实际操作简单易学,测试结果可靠.
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