在制备ZnO透明导电薄膜的方法中掺杂法应用较多，而金属夹层复合结构透明导电膜具有制备简单、薄夹层又具有掺杂效果等优点，并且由于Cu导电性好且价格低廉，使得Cu、ZnO复合薄膜更具有实用意义，所以本文以ZnO、ZnO/Cu/ZnO、ZnO/Cu薄膜为主要研究对象。主要工作如下： 采用反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜，研究了衬底温度、溅射功率、工作压强、退火处理等制备工艺对ZnO薄膜光电特性的影响。通过对实验结果的分析得出，ZnO薄膜呈现出良好的c轴择优取向，可见光范围内的透射率大于80%，电阻率具有102cm量级，一定范围内适当的增加衬底温度、增加溅射功率、增大工作压强和退火处理可以提高薄膜的结晶性，衬底温度的升高会使电阻率增大。 制备ZnO/Cu/ZnO、ZnO/Cu薄膜透明导电薄膜，研究了衬底温度、ZnO层厚度、Cu层厚度对薄膜光电性能的影响。实验表明，ZnO/Cu/ZnO薄膜和ZnO/Cu薄膜可见光透射率大于80%，电阻率相比ZnO薄膜有显著的降低，达到了10-4cm量级。在室温至300℃的范围内薄膜结晶性随着沉积温度的升高而增强，薄膜电阻率先减小后增加，可见光范围内的透射率略有增加；ZnO层厚度增加对薄膜的光电性能影响不大，但Cu层厚度增加会使薄膜电阻率显著降低，但同时透射率也显著减小。对比相同条件下制备的ZnO/Cu/ZnO、ZnO/Cu、ZnO单层薄膜，其中ZnO/Cu薄膜的电阻率较低，ZnO/Cu/ZnO薄膜透射率较高。