塔里木沙漠公路防护林植物水分生理生态特性对灌溉量的响应

来源 :中国科学院新疆生态与地理研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:w123youlin
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
水分是影响植物生存和生长发育的主要限制因子,其变化不仅使植物的形态结构发生变化,最直接的是对其水分生理特性的影响。在塔克拉玛干沙漠腹地,对不同灌溉量条件下(35kg/株·次、28kg/株·次、17.5kg/株·次)防护林植物的水分生理特性进行了研究。获得了以下主要研究结果:   ①、不同灌溉量条件下三种防护林植物的茎干液流速率日变化趋势为:乔木状沙拐枣和多枝柽柳在灌溉量为35kg/株·次条件和灌溉量为28kg/株·次条件的茎干液流日变化呈“单峰型”曲线,液流速率较高且变化幅度较大,在灌溉量为17.5kg/株·次条件下,其日变化呈“双峰型”曲线,液流速率较低,并且在灌溉量为17.5kg/株·次条件下,多枝柽柳和乔木状沙拐枣液流速率的最大值比在灌溉量为35kg/株·次和28kg/株·次下提前出现。但不同灌溉量条件下,梭梭茎干液流速率日变化趋势基本一致,都呈单峰型曲线。这说明灌溉量不同,三种植物的液流速率日变化趋势也不尽相同,灌溉量较大时,土壤含水量较大,能够满足植物蒸腾对水分的需求,液流速率日变化呈单峰型,灌溉量较少时,土壤含水量较低,已不能满足多枝柽柳和乔木状沙拐枣蒸腾耗水的需求,其日变化出现双峰型,但依然能够满足梭梭的需求,因此其日变化依然呈单峰型。这也说明梭梭是三种植物中最抗旱的植物。并且不同灌溉量条件下,三种植物平均液流速率和日液流累积量都表现为灌溉量为35kg/株·次>灌溉量为28kg/株·次>灌溉量为17.5kg/株·次。   ②、不同灌溉量条件下三种防护林植物的清晨水势和午后水势都随着灌溉量的减少而降低。其月变化趋势呈单峰型曲线,7月份水势最低。方差分析表明,在降雨稀少的塔克拉玛干沙漠腹地,由于灌溉量的减少,土壤水分条件的变差,三种防护林植物为适应水分亏缺的环境条件,可以通过降低其水势来平衡体内水分。   ③、不同灌溉量条件下,三种防护林植物各月单株日耗水量和年耗水量都随着灌溉量的减少而减少。在其整个生长季内日平均耗水量的动态变化趋势为单峰型。   ④、不同灌溉量条件下,防护林植物茎干液流速率与总辐射的相关性最强,并且随着灌溉量的减少,其茎干液流速率与总辐射、空气温度、相对湿度和风速的相关性均增强。   ⑤、在塔克拉玛干沙漠腹地人工灌溉条件下,三种防护林植物的地上生长特征即基径、新枝直径、新枝长度的生长量都随着灌溉量的减少而降低。三种生长指标的平均生长速度都表现为灌溉量为35kg/株·次>灌溉量为28kg/株·次>灌溉量为17.5kg/株·次,但是即使在灌溉量为17.5kg/株·次条件下,三种防护林植物的生长并未停止,仍具有一定的生长量。   ⑥、估算得出2007年不同灌溉量条件下,防护林带总的耗水量分别为381.2×104t、536.11×104t、668.19×104t。
其他文献
随着社会的发展、科学技术的进步,以及人民生活水平的提高,人们更加重视饮食的科学性和营养性。纯生啤酒以其新鲜、纯正的风味,作为健康、绿色的饮品,已经风靡全球。但是,纯生啤酒
学位
本论文主要讨论了探地雷达深层回波的正演模型计算,探地雷达在测量各向异性介质过程中出现的场量耦合效应,以及测量数据的三维网格重建与数据可视化等问题。主要内容包括:(1)采
二氧化硅薄膜因其良好的电绝缘性、耐磨耐压、抗腐蚀能力强等诸多优点,被广泛应用在微电子、光学、太阳能电池等领域。本文将重点阐述溶胶-凝胶法结合三种涂覆技术:浸渍提拉法
超嗜热古菌蛋白质Ssh10b分离自芝田硫化叶菌(Sulfolobus shibatae),是Sac10b蛋白质家族中的一员。尽管其生理功能仍不明确,一些实验与理论研究表明,这一家族蛋白可能参与了染色
学位
目前我国面临严重的农田镉污染现状,由施肥带来的环境问题也日益凸显。为探明长期施肥对土体镉分布及有效性的影响,以30年的长期定位施肥为基础,选取不施肥(CK)、化肥(NPK)、高
随着计算机速度的不断提高,数字图像处理技术的发展越来越快。而基于数字图像处理的颗粒检测技术在国计民生中的应用也越来越广,提高颗粒检测技术的速度与准确性显得越来越重要
自从美国联邦通信委员会规定从3.1GHz到10.6GHz之间的7.5GHz的带宽频率为UWB(Ultra-Wideband超宽带)所使用的频率范围,无论是学术界还是工业界都对其产生了浓厚的兴趣。UWB技
随着电子技术的飞速发展,对芯片的尺寸和集成度提出了越来越高的要求,BGA(Ball Grid Array),即球栅阵列封装形式的出现正迎合了发展趋势,并得到了越来越广泛的应用。BGA封装的特
Ⅳ族半导体材料主要包括第一代半导体Si、Ge以及Si1-xGex、Si1-x-yGexCy等合金材料和第三代半导体中的SiC、金刚石等宽带隙材料,它们分别在长波段光电子器件和高速、高频、大
CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)在空间光电探测领域获得了越来越广泛的应用。空间辐射环境作用于CIS可产生辐射损伤效应:电离总剂量效应、位移损伤、单粒子效应。目前