自从美国联邦通信委员会规定从3.1GHz到10.6GHz之间的7.5GHz的带宽频率为UWB(Ultra-Wideband超宽带)所使用的频率范围，无论是学术界还是工业界都对其产生了浓厚的兴趣。UWB技术可以应用于低功耗、短距离、高速率的无线数据传输，其最大的优势在于它可以与其它已经得到授权的频谱共存。　　 然而这种超宽带技术增加了关键射频模块(如UWB射频前端收发机中的功率放大器、低噪声放大器、混频器)的设计难度。尽管可以采用SiGe或者GaAs这种昂贵的化合物半导体工艺来降低设计难度，但是若想实现低功耗、低成本和单片集成的射频前端收发系统只能采用CMOS工艺。　　 本论文介绍了UWB收发机中的关键射频模块——功率放大器的设计流程。首先对功率放大器的基本原理和优化技术进行了详细的描述，然后采用Charted0.18μm CMOS工艺设计了一款适用于MB-OFDM标准的功率放大器。该放大器工作于Class-AB模式，工作频段为6GHz～9GH，在匹配网络中引入电阻以实现宽带匹配。仿真结果显示所设计的放大器满足UWB系统的要求，为国内UWB射频前端芯片的研究奠定了基础。