由于InGaAs短波红外探测器具有可以室温工作、探测率高等优点，InGaAs线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的InGaAs探测器制备的台面成型工艺展开研究，重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(ICP)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备了InGaAs探测器，通过最终性能的比较，评价得出较好的台面成型方式，为InGaAs红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：　　 ICP刻蚀中掩膜的材料致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉，铟基材料的刻蚀需要对样品加热，在此温度下，光刻胶掩膜会碳化。对于InGaAs材料来说，采用PECVD生长SiNlx，选择边缘平整的光刻板，用SF6 RIE刻蚀SiNx后用HF:NH4F：H2O为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒，可以实现垂直光滑的刻蚀端面。　　 CH4/Cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物，但对于制备2μm左右台面深度的延伸波长InGaAs探测器，平均刻蚀速率过快，同时钻蚀略大了些。Ar气和N2能加速Cl2的分离，提高刻蚀速率，相比较Ar气，N2的物理轰击力小，对材料造成的损伤小，同时在刻蚀过程中N2能和材料中的Si发生反应生成SiNx，在材料表面产生钝化。用Cl2/N2作为刻蚀气体对InGaAs探测器进行台面成型，能得到刻蚀速率稳定可控，刻蚀后的表面光洁无残留物，图形保真度好。　　 在不同的直流偏压、ICP功率、气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型，并从刻蚀速率、刻蚀垂直度、刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上，找到了可用于常规波长和延伸波长InGaAs探测器制备的ICP刻蚀参数。　　 ICP刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下，ICP具有图形保真度好，刻蚀速率稳定可控的优点，因而更适用于InGaAs探测器的工程制作，特别在小光敏元探测器的制备中，ICP的优势将更明显。