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近年来,一种新的技术正在兴起:利用载流子的自旋而不是电子或空穴的电荷携带信息.这种思想在凝聚态物理、材料研究和器件应用研究中已经导致了一个崭新、热门领域—被称之为自旋电子或自旋输运研究领域,并将实质性地增强半导体电子器件的性能.在这个领域里,一个十分重要的要求就是要实现半导体中电子的自旋极化,以及半导体纳米结构中电子自旋的限域和输运.该论文将就磁调节半导体纳米结构及其体系的电子自旋输运问题在理论上作较为深入、系统的探讨.