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高频化是电力电子技术的一个重要发展方向,无论是对降低成本,还是减少电源空间体积都有着极大的益处,但是开关电源频率的提高对器件的高频特性有了更高的要求。如氮化镓等新型器件的应用可将开关电源的频率提高到兆赫兹以上,元件的宽带集总参数模型对高频开关电源的设计就有着很大价值。此外,对电子设备的电磁兼容分析和设计来讲,电路寄生参数的准确量化也是非常关键内容。针对上述需要,本文提出了基于部分元等效电路(PEEC)电路模型降阶方法,该方法能够建立无源器件的宽带集总参数模型,并将器件的物理结构与模型的电路元件参数建