21世纪以来,全球范围内的传统能源迅速短缺和环境污染日益严重,这两个问题成为了制约经济发展的主要问题。太阳能作为一种清洁、无污染的新能源,早已走进了人们的视野,太阳能发电及光伏产业近来受到了人们的高度重视。太阳能电池是利用光生伏特效应直接把太阳能转换成电能的一种器件。太阳能电池主要有块状太阳能电池和薄膜型太阳能电池两大类,其中硅太阳能电池又可分为单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池等。硅太阳能电池由于其转换效率比较高、性能稳定、原材料丰富等优点成为当今光伏产业中的重要支柱。但是与传统能源水电、火电等相比,硅太阳能电池的成本还是比较高的,所以降低硅太阳能电池的成本和提高硅太阳能电池的转换效率是研究硅太阳能电池的主要出发点,要求在降低成本的同时,保持转换效率不变甚至提高,本课题的研究重点也在降低成本和提高转换效率这两个方面展开。本课题在单晶硅太阳能电池的制作工艺中,采用LPCVD方法来生长一层纳米多晶硅薄膜,利用纳米多晶硅薄膜材料与单晶硅衬底形成异质结,将此异质结结构应用在太阳能电池上,在对制得的纳米多晶硅薄膜采用SEM、XRD、Raman、AFM进行形貌分析的基础上,得出纳米多晶硅薄膜的厚度为50nm,晶粒大小约为90nm,对研制的纳米多晶硅/单晶硅电流-电压(I-V)特性和温度特性进行测量和分析,实验结果表明该异质结具有很好的温度系数,对制备的纳米多晶硅/单晶硅异质结太阳能电池的方块电阻、少子寿命、折射率、反射率、转换效率进行了测试和分析,转换效率为13.3%。本课题的研究表明,采用纳米多晶硅/单晶硅异质结制造太阳能电池的方法是可行的,制得的纳米多晶硅/单晶硅异质结太阳能电池具有很好的技术指标和温度特性,本文研究结果具有推广应用价值和很好的发展前景。