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众所周知,GaP材料外延层中掺入氮影响绿色二极管的发光效率.研究表明:材料中掺氮浓度和分布在改善发光效率方面起着重要作用.因此,精确地测定GaP:N中氮浓度的空间分布具有重要意义.通常测量磷化镓外延材料中氮浓度分布的方法是: 用光吸收法逐层腐蚀测量或沿样品磨角方向逐点测量光吸收的深度分布,然后利用氮浓度与光吸收系数的关系,确定氮浓度的空间相对分布.但这是一种破坏性的测量.该文提出了一种通过光热法测定与样品表面温度有关的光热信号,无损重构反映多层不均匀材料中光吸收系数深度分布的理论和一些新的有效数值计算方法.数值模拟显示了较好的逼近效果.