M(Ni0.5Zn0.5Fe2O4,电气石,麦饭石)/BiVO4复合材料的制备及其光催化性能的研究

来源 :哈尔滨理工大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hanson117
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现代经济建设,离不开工业化的发展,而工业化的发展在给人类带来巨大经济效益的同时,也带来了各种各样的生态问题,而首当其冲的,当是水污染。因此本文尝试制备一种能治理水污染的新材料。本文采用溶胶-凝胶法在不同条件下制备M(Ni0.5Zn0.5Fe2O4,电气石,麦饭石)/Bi VO4复合材料。并利用XRD、SEM、光催化、光致发光光谱(PL光谱)、UV-vis DRS等检测手段对材料的晶型、表面形貌、光催化效率、电子与空穴复合率、吸收波长、禁带宽度等性质进行表征。实验结果表明,在不同制备条件下制备的复合材料,Bi VO4的晶型并未产生较大改变,其均为单斜晶系白钨矿型的Bi VO4。而所制备样品的颗粒也未发生较明显的变化,其尺寸仅是随着煅烧温度和煅烧时间的延长而逐渐长大。在最佳工艺条件下制备的M(Ni0.5Zn0.5Fe2O4,电气石,麦饭石)/Bi VO4复合材料的光催化效率分别为82.9%、82.1%、87.5%,较纯Bi VO4的光催化效率提高了39.6%、34.7%、44%,说明制备出了能有效提高Bi VO4光催化效率的复合材料。由于体系中制备条件的不同,使得复合材料光催化效率提高的原因也不尽相同。在Ni0.5Zn0.5Fe2O4/Bi VO4体系中,Ni0.5Zn0.5Fe2O4的加入使得复合材料具有了合适的禁带宽度以及较低的电子和空穴复合率,使得复合材料在光催化开始阶段能被适宜的能量激发而产生光催化反应,又不至于使得禁带宽度太低而导致其氧化还原性能过低,限制其光催化效率。较低的电子和空穴的复合率,则有助于提高其光催化效率。在电气石/Bi VO4体系中,电气石的加入虽然未能很大程度上降低Bi VO4电子和空穴的复合率,但却降低了BiVO4的禁带宽度,使得其发生光催化反应的门槛变低,从而提高其光催化效率。在麦饭石/Bi VO4体系中,在最佳制备条件下,麦饭石的引入并未降低电子和空穴的复合几率,但增大了其禁带宽度,提升了材料的光催化性能。
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