GaN微波宽带功率放大器的设计与实现

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近年来,随着无线通信的迅速发展,而微波宽带功率放大器作为无线宽带通信系统中的关键模块,有着巨大的实用价值。半导体技术和制造工艺的发展推动了宽带功率放大器设计的进步。氮化镓(GaN)等宽禁带、高电子迁移率、高功率密度的新型半导体材料,已经开始应用于微波宽带功率放大器的设计。基于此本文设计了一款基于GaN放大器的微波宽带功率放大器。在其工作带宽1-2.8G内汇集了电子战,GSM,WCDMA,TD-SCDMA,LTE,蓝牙,WLAN及部分雷达频点。本文对宽带功率放大器的电路拓扑结构(平衡式,分布式,负反馈,有源匹配,有耗匹配)、宽带阻抗匹配网络设计方法等进行了深入细致的研究和分析。此基础上首先完成了宽带功放的电源供电网络的设计,利用负反馈电路结构实现宽带放大,采用了变阻滤波匹配网络结合诺顿变换的方法进行宽带阻抗的匹配,完成了输入输出匹配网络的设计,并利用微带线实现集总电容电感将其转换为混合匹配电路。再结合ADS软件电路仿真的方法设计出了一款采用CREE公司GaN HEMT CGH40010的宽带微波功率放大器模块,并进行了S参数和谐波平衡的电路仿真。驱动放大器采用飞思卡尔半导体的MMG20271H9T1。然后,完成了功放以及驱动放大器PCB版和腔体的设计与加工并对实物进行了调试。最后对其增益以及增益平坦度,输出功率,效率等进行了测试。本文所设计的宽带微波功率放大器电路最终测试结果如下:工作频带1000MHz-2800MHz,输出功率达到9W,增益平坦度为?1dB,增益达到27dB,输入输出反射系数(VSWR)小于-10dB,通带内的谐波抑制超过21dBc,效率达到36%,最终的测试结果结果基本达到设计要求。
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