【摘 要】
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NF3是半导体工业大量使用的清洗气和蚀刻气，SF6是现阶段最佳的气体灭弧介质，两者均有较高的温室效应潜值（GWP），如SF6的GWP为22800，寿命约3200年。在无水条件下，NF3和SF6与金属氧化物直接反应生成金属氟化物，是消除NF3和SF6的有效方法。本论文考察了NF3在MgO、Al2O3系列脱氟剂上的无水分解反应，以及无水条件下SF6在NaF-Si-MO（金属氧化物）三元混合物上的分解反
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NF3是半导体工业大量使用的清洗气和蚀刻气，SF6是现阶段最佳的气体灭弧介质，两者均有较高的温室效应潜值（GWP），如SF6的GWP为22800，寿命约3200年。在无水条件下，NF3和SF6与金属氧化物直接反应生成金属氟化物，是消除NF3和SF6的有效方法。本论文考察了NF3在MgO、Al2O3系列脱氟剂上的无水分解反应，以及无水条件下SF6在NaF-Si-MO（金属氧化物）三元混合物上的分解反应。用BET、XRD、EDX等手段对反应前后的脱氟剂进行结构表征，得到以下结果：（1）400℃反
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