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本论文的工作是围绕任晓敏教授承担的教育部高等学校博士学科点专项科研基金“基于RCE光探测器和HBT的单片集成(OEIC)高速光接收模块”(项目编号:20020013010)、任晓敏教授为首席科学家的国家重点基础研究发展计划(973计划)项目“新一代通信光电子集成器件及光纤的重要结构工艺创新与基础研究”(项目编号:2003CB314900)等项目展开的。当前通信光电子器件正处于由分立转向集成的重大变革时期。由于光电子集成器件较之分立封装的光电组件具有尺寸小、光电连接产生的寄生效应低、成本低、性能优越和可靠性高等诸多优点,因此成为全世界光通信和光电子领域科学家关注的前沿研究热点和重大基础课题。InP基异质结双极晶体管(HBT)在光纤通信等领域具有极其广阔的应用前景,并且可以与光电探测器等光器件单片集成,因而深入系统地研究InP基HBT器件具有极其重要的意义。本论文的工作主要是围绕着InP基HBT器件的物理结构模型,频率性能分析,电路参数提取,实验制备以及其与PIN的光接收前端集成而展开的,并取得了以下研究成果:1.从器件的物理特性出发,基于HBT小信号等效电路模型,推导出各个模型参量的表达式,分析了各个模型参量的影响因素,分析了InP基HBT频率性能的影响因素,得出了结构参数,偏置电压以及掺杂浓度对频率性能的影响,所得结论对于InP基HBT的设计制作和性能优化具有一定的指导作用。2.基于HBT的小信号π模型以及工业模型(GP模型)等效电路,分别完成了两种模型的HBT参数提取,利用提取的参数进行电路模型的仿真,通过对比仿真结果与测试结果,发现吻合的较好,说明了建立的模型以及提取的参数较为准确,为前端电路的集成设计以及大规模光接收机的系统设计奠定了很好的基础。3.利用建立的HBT电路模型以及已有的PIN探测器模型设计了PIN+HBT光接收机前端跨阻放大电路,使用电路仿真软件对前端电路进行了初步的仿真分析,为单片集成光接收机前端的设计与制备提供支持。4.采用2μm工艺,制备了单管的InP基HBT,其直流特性和高频特性的测试结果为:开启电压0.43V,击穿电压大于3V,电流增益截止频率f_T为28GHz。