异质结金属氧化物半导体复合材料的设计及其气敏性能研究

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金属氧化物半导体(MOS)是一种有前途的气体传感材料,单一的MOS材料存在选择性差、工作温度高、灵敏度低等问题。异质结的构筑是改善MOS气敏性能的一种有效策略。本文以异质结的构建为出发点,以降低工作温度为目的,分别以金属氧化物Co3O4和复合金属氧化物半导体Bi2WO6为基体,制备g-C3N4/Co3O4、CeO2-Co3O4、g-C3N4/Bi2WO6三种异质结复合材料,探究不同异质结强化方式对材料气敏性能产生的影响,具体研究工作如下:一、采用热解金属有机框架(MOFs)法制备具有丰富孔结构的中空十二面体Co3O4颗粒,并将其与二维石墨相氮化碳(g-C3N4)复合制备具有异质结的g-C3N4/Co3O4复合材料,用于丙酮气体的传感检测,探究材料的组成、结构特点和气体传感之间的关系。研究结果表明,0.04 g g-C3N4/Co3O4在工作温度为200℃条件下,对50 ppm丙酮的灵敏度响应值为140。该种材料对丙酮的检测限为700 ppb,且表现出良好的稳定性和选择性。二维g-C3N4与Co3O4的复合形成耗尽层,阻碍了载流子的扩散,降低了电子-空穴复合的概率,使材料表面有更多的载流子参与到材料与目标气体的氧化还原反应当中,从而使气敏性能显著提高。该方法为MOFs法衍生的MOS与g-C3N4之间异质结的构造提供了新的思路,也可为丙酮气体传感器在环境监测和医学诊断方面的应用提供重要参考。二、采用热解法成功制备了具有p-n异质结的CeO2-Co3O4多孔笼状复合材料,并对材料的成分、结构特征与气体传感之间的关系做了系统的研究。结果表明,7%CeO2-Co3O4在180℃下对50 ppm丙酮气体的响应值为170,是纯Co3O4的3.2倍,并且表现出良好的稳定性和选择性。p-n异质结以及Ce4+/Ce3+的相互转换,使更多的电子释放到材料表面与氧气接触,从而产生更多的吸附氧与丙酮分子接触。此外,中空和多孔的结构使材料具有更大的比表面积(103.92 m~2/g)和丰富孔结构,为丙酮提供了更多的吸附位点,从而使氧化还原反应更充分。该项研究内容也为新型丙酮气体传感材料的研发提供重要参考。三、通过氧化刻蚀法和水热法制备了由薄纳米片自组装成的具有S型异质结构的花状g-C3N4/Bi2WO6复合材料,用于光诱导室温检测乙醇气体。研究表明,基于0.01 g g-C3N4/Bi2WO6的传感器在室温时375 nm光照下对50 ppm乙醇气体的响应值为164c响应时间为36 s,恢复时间为199 s。优异的气敏性能归因于:(1)S型异质结有效地抑制了电子-空穴对的复合。(2)g-C3N4和Bi2WO6被光激发产生光生电子-空穴,光生电子和空穴与O2和O2-之间的循环反应延长了电子的寿命,提供更多的吸附氧离子与乙醇气体反应。该工作为实现高灵敏度的室温光诱导乙醇气体传感器提供了一种可行的方案。
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