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该文第一,二章分别概述了扫描近场光学显微术和光学微盘微腔的基本原理及现存的主要问题.第三章对所使用的近场仪器进行了简单介绍.第四章给出了对InGaP,GaN,InGaN三种不同类型光学微盘的远近场观测结果和初步结论.第五章简介了今后的技术改进和 进一步的研究方向.
用近场光学显微术对半导体光学微盘发光模式的研究
【摘 要】
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该文第一,二章分别概述了扫描近场光学显微术和光学微盘微腔的基本原理及现存的主要问题.第三章对所使用的近场仪器进行了简单介绍.第四章给出了对InGaP,GaN,InGaN三种不同类
【机 构】
：
北京大学
【出 处】
：
北京大学
【发表日期】
：
1999年期
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