石墨烯纳米带被研究人员发现既可以保持高迁移率又可以打开带隙。同时,研究人员发现锯齿边缘的石墨烯纳米结构由于其边缘态的自旋极化而产生磁性这种性质不同于二维石墨烯非磁零带隙的特征。量子限制效应使纳米带具有更奇特的功能并有望提高电子设备的效率。这些低维系统的电子和磁特性一直是广泛研究的对象,以便在功能器件的设计和优化中实现极大的灵活性。因此探究新型二维纳米带会产生怎么不同于其二维对应物独特的性质引起了人们注意。本文旨在探究新型二维材料Cr2B2和CrOCl的纳米带边界的稳定性以及这些一维纳米带与其二维对应物产生的不同电磁性质。二维C r2B2是实验上已经合成的过渡金属硼族化合物（M B ene）中的一员,其电子性质为铁磁性金属。我们研究了 C r2B2纳米带的电磁性质和结构稳定性。选取边缘结构上只存在硼原子或铬原子的纳米带进行计算并在此基础上在边缘结构上制造原子缺陷。通过计算的边缘形成能来评估纳米带边缘结构是否稳定。边缘形成能表明纳米带的边缘足够稳定。我们发现铬纳米带的边缘形成能小于硼纳米带的边缘形成能表明它们更稳定。由于边界硼原子的缺陷,一些硼原子结构的纳米带将在窄带中打开的带隙,性质变为半导体。然而随着纳米带宽度的增加,它们的金属性能逐渐稳定。在铬边界处计算的所有纳米带的基态都是铁磁金属性,但边界结构上呈现反铁磁耦合状态。两种边界纳米带由窄变宽所显示的特性将为自旋电子器件提供新的平台。二维CrOCl是一种最近发现的具有高Tc的材料。二维单层CrOCl是铁磁半导体且预测Tc分别高达160K。其电子性质为铁磁性金属。我们计算6种CrOCl不同边界纳米带随着宽度的增加稳定性与电磁性质的变化。这些纳米带的稳定性通过计算的边缘形成能来判断。经过计算我们发现所有纳米带边缘结构都是稳定的。一类纳米带随着宽度的增加边缘形成能降低,一类纳米带随着宽度的增加边缘形成能升高。在宽度低至一到三个原胞宽度时,会出现铁磁性半金属行为。同时在边界结构带有缺陷时这些纳米带同样保持着铁磁性半金属行为。在增大带宽后,纳米带同样保持着半金属性,说明将二维单层CrOCl制成纳米带后,导电性能发生了变化。此外我们还计算了这些纳米带的输运特性经过分析这些纳米带是优秀的电磁传导器件。