随着集成电路特征尺寸的不断地缩小,工业上使用的193nm光刻波长已经达到了分辨率极限。短期内极紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography,EUVL)又难以投入生产,双重图形技术(Double Patterning Technology)成为了解决光刻问题的最有效方法。但是,在实际的设计当中,这样双重图形版图的分解并不总是可行的,尤其是在具有复杂图形的金属层中。这时需要插入缝合点将完整图形进行切割,并将分解后的图形分配到不同掩膜版上,以此消除图形冲突。但引入过多的缝合点也会导致光刻质量下降,线端极易产生光刻畸变,从而造成电路故障。为了减少双重图形版图分解过程中引入的缝合点数目,本文提出一种基于窗口的双重图形版图分解方法。具体步骤为:1)根据布线后的版图实际尺寸,按照一定规则将版图虚拟拓展为正方形;2)使用图形匹配的方式对原始版图进行简单矩形分解,为奇数环的构建做好准备;3)根据拓展后版图的尺寸,将拓展后版图划分为若干窗口,为最后的迭代分解做好准备;4)提取出跨越窗口的图形,利用奇数环构建的方法对这些图形进行版图分解,并保持后续步骤中,它们的优先级最高,不首先对它们进行操作;5)在每一轮迭代窗口内部构建奇数环,通过窗口的迭代完成双重图形技术版图的分解。本文在45纳米工艺条件下进行了实验。实验结果表明,对电路c5315、c7552、s38417的M2层使用本文出的基于窗口的双重图形版图分解方法后,与普通的版图分解方法相比较,本文方法引入缝合点数量分别可以减少11.34%、14.38%、8.1%。同时本文进行了光刻仿真,与普通双重图形版图分解方法进行对比,光刻热点数目分别减少了17.54%、15.58%、13.15%,验证了本文方法的有效性。