基于二极管、场效应管和微机电系统以及其他技术的射频开关在射频性能、集成兼容性、成本、制造成品率或可靠性方面都具有一定的局限性,而相变存储器的成功开发应用让研究人员把目光转向基于相变材料的射频开关,寻求摩尔定律下新的突破方向。同时现有多通信标准共存以及物联网的万物互联时代即将到来,研究人员也在寻求多标准下射频前端种类和数目不断增加的解决方案,而可重构技术是其中一种极具前景的研究方向。本文基于相变材料GeTe提出一种新的四端口高速间接加热型相变开关结构,并从器件级和系统级两个方向验证其在可重构应用中的发展潜力,主要研究内容包括:1.提出一种新型的四端口高速间接加热型GeTe相变开关结构。通过调整微加热器的位置,优化相变开关中的热传导过程,有效提高能量的利用率,系统的切换时间相较而言大为缩短,同时淬火速度的加快能有效降低相变材料重结晶的风险,并且结构上更为简单,减少加热器沉积的刻蚀步骤,简化了制造过程。仿真结果表明,加热淬火工艺时间分别为18.86ns和49.25ns,与现有的间接加热结构相比,时间分别缩短了 8.49ns和9.48ns,同时在1GHz-40GHz频段保持插入损耗低于0.75dB,隔离度高于12dB。2.提出基于相变开关的可重构滤波器和开关矩阵,验证基于相变开关的可重构方法性能。通过切换相变开关的工作状态,改变刻蚀结构的相互连接状态和参数属性,基于级联缺陷地结构实现频率可重构和低通-带通可重构,指出相变开关在可重构器件中的新思路,同时仿真结果表明,开关矩阵单元节点在0-40GHz范围内两种不同工作状态下隔离度高于20dB,插入损耗低于1.2dB。