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氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜在薄膜太阳能电池、薄膜晶体管、辐射探测和液晶显示等领域有着重要的应用,因而在世界范围内得到了广泛的关注和大量的研究。但是,氢化非晶硅薄膜存在光致衰退(S-W)效应,是其在进一步应用中的一个瓶颈。为了解决这一难题,提出了很多意在消除或降低S-W效应的方法。研究发现,通过对氢化非晶硅薄膜进行纳米晶化处理,可明显抑制S-W效应,进而可有效提高薄膜的性能稳定性。本文基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备方法,通过对硅烷等反应气体进行氩气稀释和对磷掺杂氢化非晶