钌酸锶薄膜及异质结的磁电性质研究

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复杂氧化物制备技术的迅速发展为制备高质量的外延氧化物薄膜奠定了基础,而钙钛矿氧化物也因其独特的物理化学性质受到人们的青睐。钌酸锶(Sr Ru O3)是4d过渡金属氧化物中唯一一种巡游铁磁性材料,具有良好的导电性和化学稳定性,常被用作氧化物电子器件的电极材料。此外,基于Sr Ru O3的异质结构表现出的磁电耦合作用、反常霍尔效应和交换偏置现象等丰富的物理特性,使其在功能器件中具有广泛的应用前景。锰酸锶(Sr Mn O3)是一种G型反铁磁材料,其奈尔温度约为260 K,与铁磁性材料复合后有望设计出功能器件,因此受到广泛关注。铝酸锶(Sr3Al2O6)作为一种水溶性类钙钛矿氧化物,因具有独特的晶体结构而在室温下就可以迅速地溶解,为获得具有超弹性、超柔韧性和良好的机械耐久性等优异性能的独立氧化物薄膜提供了基础,也为实现多功能柔性电子器件提供了可能性。本文选用Sr Ru O3、Sr Ru O3-Sr Mn O3、Sr3Al2O6/Sr Ru O3和Sr3Al2O6/Sr Ru O3/Sr Mn O3体系作为研究对象,主要围绕磁电性质展开研究。论文的具体研究内容如下:(1)利用脉冲激光沉积技术,通过改变样品的生长温度和氧分压,在Sr Ti O3(001)衬底上制备出具有垂直磁各向异性的Sr Ru O3薄膜。经X射线衍射测试发现,氧分压为50 m Torr时,在不同生长温度下所制备的Sr Ru O3均具有良好的外延质量;原子力显微镜测试结果表明,相比于其它生长温度,800℃时的样品表面光滑且平整;磁性测量结果显示,随着生长温度的升高,磁性逐渐增强,最终在800℃时表现出明显的垂直磁各向异性。为了进一步证实实验结果,我们将温度定为800℃,氧分压改为150 m Torr。测试结果显示,800℃-50 m Torr条件下生长的Sr Ru O3薄膜垂直磁各向异性更优。综合以上分析,我们将Sr Ru O3薄膜的生长条件设为800℃-50 m Torr,为后续的相关研究奠定了基础。(2)系统地研究了不同沉积顺序的Sr Ru O3-Sr Mn O3双层膜的相关性质。通过X射线衍射和原子力显微镜测试并没有发现沉积顺序的改变对其产生明显的影响;但结合电输运测试发现,Sr Ti O3//Sr Mn O3/Sr Ru O3双层膜在低温时表现出一定的绝缘性质,而Sr Ti O3//Sr Ru O3/Sr Mn O3双层膜在整个测试温度范围内表现出明显的金属性质。随后经磁性分析发现,Sr Ru O3/Sr Mn O3的磁性要明显强于Sr Mn O3/Sr Ru O3双层膜,并且在施加+3T的冷却场后均能观察到明显的交换偏置现象。我们将这种由生长顺序的改变所产生的影响归因于界面晶格结构,因为该结构会影响由Ru O6八面体旋转和/或扭曲控制的界面耦合作用。(3)分别制备了Sr3Al2O6/Sr Ru O3和Sr3Al2O6/Sr Ru O3/Sr Mn O3两种异质结。通过将其浸入去离子水中,发现Sr3Al2O6层在室温下会发生溶解,从而获得独立的Sr Ru O3和Sr Ru O3/Sr Mn O3薄膜。经X射线衍射和原子力显微镜分析,发现转移后的Sr Ru O3和Sr Ru O3/Sr Mn O3仍具有良好的晶体质量;通过磁性能分析,发现转移后的Sr Ru O3薄膜磁性能略有降低,可能是由于Sr3Al2O6层在溶解过程中与去离子水发生相互作用,使薄膜表面不可避免地会产生一些裂纹造成的;对于Sr Ru O3/Sr Mn O3双层膜,其磁性能得到保留甚至增强。这些都为它们转移到任意衬底上并将其与半导体和层状化合物的异质结构的集成提供了基础。
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