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由于Zn O半导体材料在室温下具有较高的激子结合能,良好的压电性能以及光电性能,Zn O半导体材料在环境监测、导弹尾焰、太阳能电池和液晶显示器等领域有着广泛的应用前景,逐渐成为研究者研发的热点。由于本征Zn O半导体材料的带隙为3.37e V,因此,基于Zn O材料制备的紫外探测器只能探测到某一特定的波长,无法用于整个紫外波段的探测。为了拓宽Zn O基紫外探测器的探测波段,本课题采用Mg掺杂的方法,力求对Zn O半导体材料的禁带宽度进行可控的调整。世界各国的研究者已经通过MOCVD、MBE、PLD、