在有效质量近似下,我们采用变分法,分别计算了磁场对方形量子阱线和正方体量子点中类氢杂质束缚能的影响,将结果与前人的工作进行了比较,符合得很好,从而得出了合理的结论.首先,我们计算了磁场对方形量子阱线中类氢杂质束缚能的影响,在计算过程中,我们考虑了不同外加磁场和杂质在阱中不同位置时对体系束缚能的影响.其次,我们计算了GaAlAs/GaAs正方体量子点中类氢杂质体系的束缚能,和相同条件下量子阱线、球形量子点的束缚能进行了比较,得出了较合理的结果.最后,我们对计算结果进行了详细地分析和讨论,与前人的理论结果和实验结果相比较,得出如下结论:(1)外加磁场下方形量子阱线中类氢杂质束缚能的计算结果表明:外加磁场使得体系束缚能增加;杂质离子位于阱中心时,束缚能最大,位于正方形的某个角点时,束缚能最小,与前人的结果比较,我们的计算结果与其符合得很好.(2)外加磁场下正方体量子点中类氢杂质束缚能的计算结果表明:GaAlAs/GaAs立方体量子点中类氢杂质体系的束缚能随量子点尺度以及外加磁场的变化关系,其结果与预期值相符,随着量子点尺度的增加,束缚能减小,在特定尺寸的量子点中,磁场越大,束缚能随之增加.针对过去人们只是讨论圆柱型量子线和球体量子点情况,该文给出了一种求解矩形、方形量子系统的方法.