两个介观环在AB效应下的电导振荡

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量子力学波函数在1926年被发现以后,相位的重要性逐步被认识。波函数具有幅值和相位两个特征参量,并遵从波的叠加原理。因而在粒子运动过程中存在一系列与相位相联系的波动现象,如干涉、衍射等。这是量子力学与经典力学之间的本质区别。Aharonov-Bohm(AB)效应(1959)和Berry相位(1984)的发现引起了大多数物理学家的重视,一系列理论研究和实验论证随即展开。 当电路和器件的尺寸达到电子的相位相干长度时,我们必须考虑电路中的量子效应.在引入电磁场的量子体系中,波函数相位的表现更加突出,随着微加工技术的进步,一些介观尺寸的样品可以在实验室里进行制备,这就为微观物理现象的分析和观测提供了前提保障。而量子相位相干效应,量子叠加性在介观系统的量子相位相干涨落效应中是非常重要的,它将明确地呈现与观测到的物理性质中。在介观尺度范围内,就会发生量子效应占支配地位的现象,而介观环在电压和磁通作用下产生的AB效应是介观系统中相位干涉的重要现象。对这些现象的分析和研究具有深远的意义,为开发新的量子器件提供了机遇.关于纳米电子器件及介观电子电路的量子力学效应也就日益成为纳米电子学的一个研究热点. 本论文首先介绍了介观系统中电子干涉的条件和特征以及由此引起的电导涨落,并讨论在单个介观环系统中在磁通或电压同时或分别作用时所产生的AB效应,通过建立散射矩阵来得到不同情况下的透射系数,并由电导可知,载流子透射几率决定了电导的变化。本文在此基础上研究了两个介观环系统中不同情况下(磁通或电压作用时)所产生的透射系数,并讨论其变化特点对电导的影响。
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