本文采用两步溶剂热的方法合成了具有核壳结构的GaP/GaN纳米异质材料.并对异质结构材料的光学性质做了初步的研究.GaP和GaN都是重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,GaP半导体材料广泛用于制造发光器件.GaN是近年来发展十分迅速的半导体材料,具有禁带宽度大、化学稳定性好等优点,特别适合用于制备高温、大功率等电子器件.近年来,随着溶剂热法制备Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的发展,对纳米GaP和纳米GaN的制备和性质也做了一定的研究,鉴于两种材料的优异性质,如果能将两种材料在纳米级别有效地结合并形成异质结构这将使研究纳米GaP、GaN以及二者的异质材料都具有潜在的应用和实用价值.与此同时,如果能通过调整核和壳尺寸来改变材料的发光波段,这将具有十分重要的研究意义.本文首先采用溶剂热的方法制备了结晶完整、纯度好的GaP纳米晶,并对纳米磷化镓的性质做了一定的研究.同体块磷化镓材料相比,纳米磷化镓具有很高的表面活性,这为核壳型半导体纳米异质材料的制备提供了理论基础.同时,对纳米氮化镓的制备方法进行了总结,结合制备核壳核壳型半导体纳米异质材料的需要,采用了加入双氮源的方法制备了纳米氮化镓,并对其性质做了一定的研究.在溶剂热制备纳米GaP和纳米GaN的基础上,为了将纳米GaP和纳米GaN有效地结合并形成核壳型半导体纳米异质结构,采用了两步溶剂合成法,即先合成核材料纳米GaP,经过处理后再合成壳材料纳米GaN.通过X射线衍射、高分辨电镜等测试手段对材料进行了表征,并对其光学性质进行了初步的研究.同时,本文还对原位溶剂热法制备核壳型GaP/GaN半导体纳米异质材料进行了初步的探索.