LED微阵列器件是一种在同一芯片上集成的高密度微小尺寸的发光二极管二维阵列。该器件除具有LED器件固有的光电转换效率高、响应速度快、波长固定、寿命长、耗能低等特点外,作为一种微型阵列器件,还具有高分辨率、高对比度和高集成度的优点,在微显示以及微照明领域具有很广阔的应用前景。本文研究了一种基于Al Ga In P材料的LED微阵列器件。目前,市场上比较成熟的Al Ga In P-LED外延片的发光层一种具有直接带隙的材料,可以通过控制掺杂使其发光波长从555nm到650nm。本论文中所采用的Al Ga In P-LED外延材料是通过在n型Ga As衬底上采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术来生长的。通过对基于通用的Al Ga In P-LED材料的微阵列器件的设计与实验研究,主要完成了以下工作:一、建立了Al Ga In P-LED器件模型,确定了在620nm发光波长下的模型中各膜层的厚度与掺杂浓度数据。根据材料的内量子效率最大化条件(大于85%)确定了器件的最佳工作电压范围,并对带有方环形阳极电极的发光单元进行了热学分析与仿真,得到了各层的热功率密度和温度分布,通过计算得到了有源层到外部环境的等效热阻,并通过对向上、向下路径的热阻分析,确定了一种适用于此器件的热沉结构;二、设计了一种优化的微阵列器件结构,,通过对单条形、双条形和方环形的阳极电极进行理论分析与实验,最终选定了方环形阳极电极结构,并确定了电极尺寸;三、设计了基于MOEMS工艺的Al Ga In P-LED微阵列器件的制作流程,通过单元实验研究和器件工艺集成研究,制作出具有微小结构的集成化的LED微阵列器件;四、提出了Al Ga In P-LED微阵列器件的柔性化方案,设计了柔性器件结构及基于MOEMS技术的柔性微阵列器件的制作流程,对宽隔离沟槽进行了腐蚀工艺研究。五、制作16×16了阵列的驱动电路,并对平面结构的LED微阵列器件进行了电流-电压特性和输出光功率-电流特性测试和性能分析。