目的:修复神经损伤的关键条件之一是轴突再生,再生的轴突达到效应器并形成有效的突触联系是功能恢复的前提。中枢神经系统（Central nervous system,CNS）再生困难仍是当代医学面临的一大难题,损伤后的轴突启动修复程序对轴突再生起到关键的作用。力学拉伸（Mechanical stretching,MS）通过作用神经细胞产生机械刺激,进而产生强大的轴突再生作用,但是轴突如何感受MS刺激,受到拉伸刺激的轴突又通过影响何种分子产生再生效果尚不可知。因此,本课题拟通过对损伤的轴突施加MS刺激,运用细胞免疫荧光、蛋白定量等技术,探究MS刺激促进轴突再生的分子机制。方法:1.本研究采用体外神经细胞拉伸模型,将背根神经节（Dorsal root ganglion,DRG）神经元种植在弹性培养皿上,通过对DRG神经元施加MS刺激3天,运用神经元特异性标记物荧光染色,检测荧光强度及轴突长度,以此判断模型建立。2.对受到MS刺激的DRG神经元进行蛋白筛选,运用Western Blot技术检测DRG神经元中再生相关以及机械敏感相关蛋白,选出可能受MS刺激改变的蛋白。3.对受到MS刺激的DRG神经元进行免疫共染,同时标记神经元与再生相关蛋白,检测再生相关蛋白与MS促进轴突再生的相关性。4.对体外培养的DRG神经元使用GSK205处理3天（GSK205,TRPV4特异性抑制剂）,再对其进行特异性抗体免疫荧光染色,统计轴突长度。5.将TRPV4特异性小干扰RNA（Small interfering RNA,siRNA）与增强绿色荧光蛋白（Enhanced green fluorescent protein,EGFP）质粒混合物,通过电穿孔转染标记DRG神经元,敲减TRPV4后继续培养3天。检测siRNA敲减效率并统计轴突长度。6.将TRPV4特异性siRNA与EGFP质粒混合后注射到小鼠体内第四、五腰椎（Lumbar4-5,L4-5）DRG神经元中,标记坐骨神经感觉神经纤维,电穿孔2天后损伤坐骨神经,5天后,取出标记侧的坐骨神经进行压片,测量轴突再生长度。7.对体外培养的DRG神经元进行降低TRPV4蛋白处理（敲减TRPV4或抑制TRPV4蛋白表达）,培养3天后检测PTEN蛋白变化水平。8.向敲减TRPV4的DRG神经元加入PTEN激活剂（Oroxin B）,培养3天后检测轴突再生情况。结果:1.受到MS刺激3天后,与Ctrl组相比,MS组的DRG神经元轴突长度以及相同区域内荧光强度均有较为明显的增加,表示轴突受到MS刺激再生。2.受到MS刺激3天,Western Bolt检测显示TRPV4、PTEN、C-MYC蛋白表达量显著改变,提示TRPV4、PTEN可能与拉伸后的轴突再生相关。TUJ1分别与TRPV4、PTEN特异性抗体共染,证实MS刺激可以引起DRG神经元TRPV4、PTEN蛋白的表达显著变化。3.分别使用TRPV4特异性抑制剂GSK205、特异性TRPV4的siRNA降低DRG神经元表面的TRPV4蛋白表达,可以显著促进DRG神经细胞轴突再生。4.体外敲减TRPV4,损伤的坐骨神经轴突明显再生。5.敲减TRPV4或抑制TRPV4蛋白,PTEN蛋白表达明显下降。6.激活PTEN蛋白使敲减TRPV4的轴突再生受到抑制。结论:力学拉伸刺激通过降低神经细胞中TRPV4表达促进再生,降低的TRPV4蛋白可能通过抑制PTEN活性调控轴突再生。