【摘 要】
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近年来,纳米尺寸的铁磁金属薄膜和多铁复合薄膜倍受关注。本论文制备出了不同厚度的超薄Fe70Ga30(Fe-Ga)和Fe65Co35(Fe-Co)纳米薄膜,利用掠入射XRD和电子探针显微分析对不同厚度Fe-Ga和Fe-Co薄膜物相结构和元素组分进行了表征,通过测试不同厚度薄膜的磁滞回线和磁畴结构的表征,分析了薄膜的软磁性能,在对不同厚度Fe-Co纳米薄膜表面进行霍尔效应测试时发现了反常霍尔效应的存在
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近年来,纳米尺寸的铁磁金属薄膜和多铁复合薄膜倍受关注。本论文制备出了不同厚度的超薄Fe70Ga30（Fe-Ga）和Fe65Co35（Fe-Co）纳米薄膜,利用掠入射XRD和电子探针显微分析对不同厚度Fe-Ga和Fe-Co薄膜物相结构和元素组分进行了表征,通过测试不同厚度薄膜的磁滞回线和磁畴结构的表征,分析了薄膜的软磁性能,在对不同厚度Fe-Co纳米薄膜表面进行霍尔效应测试时发现了反常霍尔效应的存在。重点研究了纳米铁磁薄膜表面的电阻转变行为。基于纳米金属团簇结构中的库仑阻塞效应影响,纳米金属薄膜表面出现了电阻转变行为。电阻转变行为是可逆的,并且转变发生在高（低）阻态之间。此外,本论文制备了铁电和压电性能优良的Ba(Zr0.2Ti0.8)O3–0.5(Ba0.7Ca0.3TiO3)（BZT-BCT）薄膜,采用BZT-BCT压电衬底和小尺寸超薄Fe-Ga薄膜构建磁电复合薄膜,探究了偏置电压对Pt/BZT-BCT/Fe-Ga磁电复合薄膜电阻状态的调制。偏置电压调制Fe-Ga复合薄膜的电阻状态主要归因于铁电BZT-BCT薄膜和铁磁Fe-Ga薄膜两者之间的应力应变耦合效应。在铁电薄膜和铁磁薄膜组成的复合磁电薄膜中,外加电压可调控铁磁薄膜的电阻状态,信息的写入过程可以通过电场来实现,在磁电复合薄膜中磁极化和电极化可以共存,从而实现信息的多态高密度存储。利用电场直接调控铁磁纳米薄膜的电阻状态为低功耗高密度多态存储器的实现提供了新的可能。
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