静电放电（Electrostatic discharge，ESD）和电性过应力（Electric overstress，EOS）是集成电路（Integrated circuit，IC）发展过程中面临的一个越来越严重的问题。根据历年的报告数据，ESD问题随着集成电路向小线宽、高集成度和诸如轻掺杂漏（light dopped drain，LDD）、硅表面硅化（silicidation）等先进工艺发展，越发成为一个不容忽视的问题。通常情况下，ESD问题对IC或器件的影响主要表现在两个方面，一方面产生高电压造成电路中器件结击穿、栅氧或绝缘介质的电击穿；另一方面产生大电流，由于局部大电流，导致热点集中，引起器件硅融化、金属互联线融化或断裂等。本文前半部分首先介绍ESD保护的重要意义，然后介绍了常见的ESD等效模型、测试模型、测试方法和判断标准；往下介绍了两类常用的ESD保护器件，即不具有snapback特性的二极管和电阻，以及具有snapback特性的双极晶体管（bipolar junction transistor，BJT）、场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor fieldeffect transistor, MOSFET）和硅控整流器（silicon controlled rectifier，SCR）；最后还介绍了热扩散方程和热电模型。后半部分主要是利用synopsis公司推出的Sentaurus软件对40V栅接地LDMOS器件进行准静态的仿真和瞬态的仿真，通过两种类型的仿真，从机理上解释器件内部热量的积累过程和性能的高低。包括不同沟道长度、不同源区到体接触距离（source to bulk tap spacing,SBS）以及不同漏极工程的（即嵌入SCR的LDMOS结构和SCR结构）器件的温度特性和ESD性能的比较和研究。最后介绍了几种常见的ESD设计版图布局，比较其优劣并根据本文所用工艺特点提出本文实际流片的版图布局，同时给出了几个器件的测试结果对比作为ESD仿真的验证。本文中增加的ESD器件的瞬态仿真有别于常用的ESD仿真方法和常规电路瞬态仿真方法，是通过瞬态仿真对ESD热量积累中温度特性研究的首次尝试。