该文研究了一种新型的用于无线通讯系统射频功率放大器的SOI(Silicon-On-Insulator:绝缘体上的薄单晶硅薄)LDMOS(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor:横向双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管)集成技术.全文共六章,各章的重点和内容提要如下:第一章从总体上介绍当前无线通讯系统中射频功率放大器发展和研究现状的概况,然后,将就选用射频集成功率放大器和SOI工艺作为研究课题的动机展开讨论.在第二章中,首先讨论的是横向双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(LDMOS)的基本工作原理和选用原因,研究并推导了包括电流电压方程、跨导表达式、饱和区漏电场分布、RESURF原理及应用在内的直流特性和截止频率等交流特性.其后,该章亦用较多篇幅详细介绍了如何校准和利用HP8510C网络分析仪进行器件高频特性分析.最后,制备出的LDMOS晶体管的直流和高频特性分析结果将用来进一步支持该器件作为将来集成功率放大器的重要组成部分的论点.第三章首先论述了兼容于该设计工艺的、作为前端电路应用中重要组成部分的横向双极型晶体管的发展状况和应用前景.随后分析并讨论了一种基于传统侧向基区接触的新型漏电流路径切除设计.第四章阐述了集成无源器件的理论模型、设计、制备和测试结果.该章首先着重介绍了作为集成功率放大器研究领域最具挑战性的高Q值集成电感的发展状况、模型和未来趋势.文章还分析了不同厚度(从1μm到3μm)的基底氧化层对Q值的影响.在第五章中,我们首先比较和讨论了普通放大器和功率放大器的分类,然后通过PSPICE电路模拟实施了射频集成功率放大器的电路拓扑设计和所设计制备器件的电路论证,提出了一种新型的E类(Class E)拓扑结构,并给出了模拟结果.最后,作为总结的第六章将从射频集成功率放大器的工艺现状和该文的贡献出发,阐述这一领域的未来走势和发展方向,以及在现有成果的基础上,如何继续该课题内其他方向的研究,并开辟新的研究领域.