随着社会的进步和科学技术的发展,人们对信息服务的需求越来越大,社会的运作和发展对信息的依赖性越来越强。智能光网络(ASON)、光纤到户(FTTH)、密集波分复用(DWDM)等光通信技术是以后信息技术发展的最有前景的技术,光通信将向着超高速、大容量、智能化、低成本、高可靠性的新一代的光通信技术迈进。半导体激光器是重要的光通信器件,而量子阱激光器以其较低的阂值电流为优势,吸引人们去研究和优化。本论文主要研究InGaAsP为材料的多量子阱激光器,激射波长1550nm。为以后实验室后续研究工作做了很好的铺垫。以下是论文的主要工作：1,研究了半导体激光器的原理和特性。包括法布里—珀罗(FP)腔激光器的阈值电流、光场分布等；同时研究了量子阱激光器的结构和量子阱厚度、腔长等对量子阱半导体激光器工作特性的影响。2,参与设计了1550nm FP腔InGaAsP多量子阱激光器,并且研究了器件的部分制备工艺。首先设计了量子阱激光器的脊型FP腔结构；然后利用金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)进行材料生长调试并完成了外延片生长；该激光器的测试结果达到了预期的设计要求,其中阈值电流大约10mA,量子效率大约14.5%。3,1550nmInGaAsP多量子阱激光器的仿真。仿真过程包括调整激光器的结构、材料的组分、掺杂等。优化仿真参数,得出的仿真结果包括P-I曲线、量子效率等；通过仿真,重点考虑不同的量子阱的厚度对量子阱激光器的阈值电流、量子效率的影响。