超低压CMOS混频器设计

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随着集成电路技术与无线通信设备的迅速发展,低压低功耗模拟集成电路设计逐渐成为一项热门技术,尤其是两者的交叉学科-射频集成电路技术的研究更成为热点中的热点。作为接收机中非常重要的一部分,混频器性能的好坏,直接影响整个通信机的性能。本文介绍了接收机的各种结构,如超外差接收机、零中频接收机、低中频接收机,对各种接收机的性能进行了分析比较,在此基础上详细介绍了混频器的各种结构、工作原理和主要性能参数。选择双平衡Gilbert型CMOS混频器作为基础,利用衬底驱动技术设计出一种超低压CMOS混频器。基于CSMC 0.5μmCMOS工艺BSIM3V3模型,采用Hspice对设计的电路进行了仿真。仿真结果表明,该混频器在1V的单电源电压下,可以实现对300MHz正弦信号的混频,转换增益为-14.7dB,三阶输入截止点的值为32.6dB。对基于准浮栅技术的低压混频器也做了仿真分析,结果表明准浮栅也是一种有效的低压技术。
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