高速光源是光通信系统的核心部件，一直是光电子领域的研究热点。在众多的光源方案中，电吸收调制器(Electroabsorption，EAM)与分布反馈激光器(Distributed Feedback，DFB)的单片集成器件具有结构紧凑、制作工艺兼容、啁啾小、功耗低、功能可扩展性强等显著优点，是波分复用网络、光时分复用网络的理想光信号源。本论文围绕EAM与DFB集成光源的研制与功能扩展开展了以下几个方面的研究工作：　　 1.探索了新的集成技术。采用22 mbar的极低沉积气压对传统的选区外延生长技术(SAG)进行了革新，通过优化生长条件，在掩蔽图形宽度变化仅为30μm(0-30μm)的范围内获得了高达88 nm的波长偏调量，完全覆盖了整个光纤通信系统的C波段和部分S，L波段，同时，仍然保持了良好的结晶质量，选择生长区和平面生长区的光荧光谱(Photoluminescence，PL)半高宽(FWHM)为30-35 meV。这是目前国内外文献报道中最低的沉积气压；　　 2.采用超低压选区生长技术成功研制出10 Gb／s高速电吸收调制激光器集成芯片，随后进行了模块化封装。该光发射模块在10-10误码率下，在标准单模光纤中传输了53.3 km后，色散代价仅为1.5 dB，动态消光比达到8.7 dB，且调制眼图清晰张开。这是目前国内自行研制的10 Gb／s光发射模块传输距离最远的纪录，并已达到光通信系统的实用要求；　　 3.实现了电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成器件的功能扩展。采用超低压选区生长技术将级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成，制作出光时分复用(0.DM)系统用10 GHz超短光脉冲发生源，脉冲宽度为13.7 ps，时间带宽积为0.301，波形十分接近变换极限；　　 4.摸索了器件制作的若干新工艺。采用反应离子干法刻蚀(Reactive lon Etch，RIE)手段摸索出对SiO2，InP等多种材料的干法刻蚀工艺条件，刻蚀界面光滑，对InP系材料获得了60 nm／min的较高的刻蚀速率，为获得良好的Butt-joint生长质量打下了坚实的基础，为新型器件的制作搭建了技术平台。