功率放大器在无线发射器的末端主要用于提高上变频信号的输出功率，射频开关则用于将放大后的信号传送至天线，所以它们在无线收发系统中的地位至关重要。随着4G技术的不断成熟，中国手机市场对4G射频芯片尤其是4G射频功率放大器芯片和射频开关芯片的需求也越来越多。本课题分别设计了应用于4G多模多频功率放大器模块中的功率放大器芯片和射频开关芯片。　　本文先介绍了无线通信技术的发展，简述了无线通信射频前端的基本架构和其面临的挑战，并介绍了功率放大器芯片和射频开关芯片国内外的发展动态。其次对射频功率放大器和射频开关的基本原理做了简要的论述和说明。紧接着又介绍了GaAs半导体材料的物理性质，GaAs工艺制作以及GaAs HBT的高频性能，和功率放大器线性化技术。　　另外，文章对功率放大器和射频开关设计过程做了介绍，并对出现的重要问题做了分析，相应的提出了解决方法：（1）随着输出信号功率的升高，GaAs HBT会产生自热效应，这将会导致静态工作点产生偏移，最终使得增益发生坍塌。为此本文基于镜像电流源偏置电路设计一个自适应的有源偏置电路，该电路可以补偿因自热效应产生的直流偏置点偏移，有效的解决了增益提前压缩的问题。（2）通过在每个管芯的基极处添加一个RC网络，使放大器在整个工作频段上都能稳定输出信号。（3）功率放大器的输出匹配单独设计在片外，这十分方便电路调试，而且可以得到更高的输出功率。（4）设计芯片版图和测试板时，对高频寄生问题和接地问题做了充分的考虑。　　芯片的测试结果表明：功率放大器的小信号增益大于29dB，输出饱和功率在28dBm以上，最高效率能达到33.5％，并且伴随着很高的线性度；射频单刀六掷开关芯片的插入损耗大于0.6dB，隔离度大于30dB，0.1dB压缩点为37.5dBm。