薄膜晶体管（TFT）作为平板显示的核心组成部分,任何有源矩阵的平板显示都依赖于TFT的控制和驱动。随着平板显示技术的快速发展,传统的非晶硅薄膜晶体管越来越难以满足显示产业的需求。同时,以非晶铟镓锌氧化物（indium gallium zinc oxide,a-IGZO）作为有源层的TFT正在快速发展。与非晶硅TFT相比,a-IGZO TFT有着迁移率高、透光性好、成膜温度低等优点,在备受关注的高清显示和柔性显示方面有着更大的优势。为了测试a-IGZO TFT的电学性能,探究优化器件性能的制备工艺,本文主要研究了a-IGZO TFT中有源层的制备条件（如退火温度、Ar plasma处理时间、氧分压、High-K栅极介质）对器件性能的影响。（1）研究了不同退火温度对器件性能的影响。实验表明:在350℃时,此时器件开关比最好,达到10⁹,随着温度的升高,开关比减小。在350℃时器件的迁移率最好,为19.8cm²/v.s。在350℃时,开启电压维持在0V左右。在350℃时亚阈值摆幅最小,为0.65。在400℃时阈值电压最低,为11V。综上当退火温度为350℃时器件性能最优。（2）研究了等离子处理a-IGZO有源层时间对器件性能的影响。实验表明:随着处理时间的增加,最大电流Idmax总体呈现先升后降的趋势,在200s处有最大的Idmax。当氩等离子处理时间为200s时,接触电阻最小。（3）研究了三种氧分压对器件性能的影响。从不同氧分压的a-IGZO TFT样品的转移特性Id-Vg曲线,可以看出当氧分压为4.5%时器件综合性能最优。（4）研究了High-K栅极介质对器件性能的影响。对于90nm SiO₂作栅介质的TFT,目前最高场效应迁移率能做到21cm²/V·s,开关比可以达到10⁹。对于20nm HfSiOx为栅介质的TFT,目前最高场效应迁移率能做到13cm²/V·s.Vth、SS和Rc相比于低介电常数材料SiO₂得到了很大提高,分别为1.2V,0.14 V/dec,4.67?·mm。