高介电常数材料相关论文
电子设备和数字系统的大量使用不可避免地产生大量电磁干扰，严重影响日常生活。为了解决该问题，目前致力于高效微波吸收材料的研究。......
采用等离子体增强原子层沉积技术在Si衬底上制备了HfO2栅介质薄膜。为了抑制HfO2薄膜与Si衬底间界面层的生长,首先对Si衬底进行了......
本文结合工程实例，采用理论分析及有限元方法。探讨接头界面场强分布及高介电常数材料中气隙对场强的影响。通过分析得出：应力疏......
本文结合工程实例，采用理论分析及有限元方法，探讨接头界面场强分布及高介电常数材料中气隙对场强的影响。通过分析得出：应力疏散......
通过阻温测试、介温测试及XRD等测试分析手段,研究了CuO的加入对BaTiO3基PTC材料性能的影响,结果表明:加入0.1 mol％的CuO可以明显改......
为了获得高性能RF-MEMS开关，该文对桥式RF-MEMS开关进行深入的静电与力学分析，得到了相关模型与公式，在此基础上讨论了器件几何结构参......
随着非易失性存储器存储单元的特征尺寸进入20 nm节点，传统基于多晶硅浮栅结构的存储器在结构性能上遇到诸多限制。为此，研究者们提......
随着微电子技术微型化和集成化的发展,高介电常数材料在微电子器件,特别是在动态随机存储器中（DRAM）,扮演着越来越重要的角色。近年......
随着微电子技术发展，SOI技术已由特种抗辐射应用扩展到射频功放，开关等领域。SOI LDMOS凭借速度快、线性度好、与CMOS工艺兼容及全介......
透明电子学(transparent electronics)是关于透明电子材料、透明器件以及透明电路的研究，是当前半导体技术领域前沿的研究热门课题......
FLASH存储器是当前非易失性半导体存储器市场上的主流器件。随着半导体工艺节点不断推进,器件的尺寸不断缩小,由于电容耦合效应和......
闪速存储器(Flash Memory)是目前占据统治地位的非易失性半导体存储器(NVSM)。它具有低功耗,小体积,高密度,可重复擦写等优异的特......
高介电常数材料是当今微电子行业热门研究课题之一，它的应用为解决当前半导体器件因尺寸缩小而导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能......
低维纳米材料因其巨大的体表面比和显著的量子尺寸效应，而具有与体材料明显不同的物理化学性质。二维结构石墨烯的问世激起了科学家......
随着信息时代的发展,新型晶体管基非易失性存储器体现出越来重要的应用价值,获得了广泛的研究关注.本研究将具有Ⅰ型能带结构的硒......
一个简单分析模型被开发了学习量在金者底层 MOSFET (金属氧化物半导体领域效果晶体管)的机械效果( QME )，它在减少通道的高绝缘的......
简要回顾MOS晶体管一些具有代表性的技术进展，分析了其在将来超大规模集成电路（ULSI）应用中的主要限制。从材料以及器件结构两个方向......
成分分析和理化性能检测表明，余甘子加工产业多余的余甘子果核提取的油料具有向生物航空燃料等高品质油料转变的潜力．运用介电精制方......
介绍了国内外对高K栅极介质的研究现状.分析了适合用于作为栅极介质的高介电常数材料的种类,用于制备高K薄膜的方法.最后提出了目......
随着45nm技术的临近，减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限。传统掺杂多晶硅，二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿......
随着电子科技的不断发展，高性能计算机及电子设备对电子材料性能的要求越来越高，其中材料的介电常数是评价和衡量材料性能的重要指标......
原子层沉积系统是氧化物薄膜制备的主要手段。阐述了原子沉积的主要原理及工艺参数。利用原子层沉积系统制备了高介电常数ZrO2薄膜......
传统的ＳｉＯ２栅极电介质材料无法克服ＭＯＳ年特征尺度缩小带来的量子隧穿效应的影响，作为进上步提高微电子器件集成度的途径，利用新一代具有高介......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
薄膜晶体管(TFT)是有源矩阵有机发光二极管(OLED)驱动电路的核心元件。OLED是电流驱动型器件,传统的非晶硅TFT迁移率低,难以满足OL......
高介电常数材料在未喷涂电极前,如何测准他的介电常数,以判断该材料质量是否满足要求是一个困难。本文介绍一种通过恒压力电极,对......
薄膜晶体管（TFT）作为平板显示的核心组成部分,任何有源矩阵的平板显示都依赖于TFT的控制和驱动。随着平板显示技术的快速发展,传统的......
日益增长的信息技术对更高集成度、高速、低功耗集成电路的需求，驱使晶体管的尺寸越来越小，随之而来的问题是作为MOS栅氧化物和DRAM......
20世纪60年代，戈登.摩尔博士提出了著名的摩尔定律，即集成电路的特征尺寸每三年缩小0.7倍，集成度每三年增长四倍。四十年来，集成电路产......
