随着超大规模集成电路设计及制造技术的飞速发展，设计工具及流程的自动化程度越来越高，而标准单元库建库技术正是支持这一流程的基础。基于标准单元的设计是SOC设计中的主流设计方法，同全定制设计方法相比，基于标准单元的半定制设计方法，可以缩短设计时间，降低设计成本，使得大规模的IC设计成为可能。　　 在目前采用半定制设计方法中，标准单元库的好坏直接影响着电路设计的质量。本论文从CMOS0.35μm工艺环境建库开始，在研究已有建库技术的基础上，从综合库的建立、文件的系统化管理与自动化生成，到时序的验证与SOI工艺下流片测试结构的版图绘制，对标准单元库综合库建库方法学进行了深入的研究。　　 本论文的主要工作如下：　　 1、研究了集成电路标准单元建库设计方法学，了解了标准单元库的背景并确定了本论文使用的仿真软件自动化生成单元库的研究方法。　　 2、在单元库的内容设计中，研究了建库方法，确定了一套标准单元的列表并提取了综合库中若干个关键的物理参数。　　 3、在包含146个标准单元的路设计中，通过文件的合理管理与脚本的自动调用仿真工具，研究设计了一套完整的建库开发系统。缩短了建库时间，提高了建库效率。　　 4、在单元库的时序验证中，研究了静态时序仿真的验证方法，验证了所建立的标准单元库的时序可靠性。　　 5、采用SOI0.5μm工艺，开发与管理了一套全新的PDK，主要工作是建立其中的symbol库，建立了标准单元库中各个单元的symbol模型。绘制了标准单元的测试结构，工作目标是得到延时、时序等流片测试数据以及高压环境下特有的物理效应，总结表征方法。