【摘 要】
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该论文在国产固源分子束外延(MBE)系统的基础上,利用新型三温区阀控裂解固态磷源炉,对InAsP多量子阱材料的生长进行了全面的研究.论文首先通过实验比较了在As
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该论文在国产固源分子束外延(MBE)系统的基础上,利用新型三温区阀控裂解固态磷源炉,对InAsP多量子阱材料的生长进行了全面的研究.论文首先通过实验比较了在As<,2和As<,4>两种模式下生长的InAsP/InP多量子阶材料的结构特性和光学特性.研究表明,两种模式对所生长的InAsP/InP多量子阱的结构质量几乎没有影响;但是由于As<,4>的吸附机制比较复杂,其吸附系数小于As<,2>的吸附系数,且使外延材料的光学特性变差.然后我们研究了1.55 μm波段IndsP/InGaAsP应变多量子阱材料的生长及激光器的设计与刷体.为了进一步提高器件的性能,我们还对1.55μm波段InAP/InGa(As)P应变补偿多量子阱材料,主要是带InP过渡层的InAsP/InP/InGaP/InP应变补偿多量子阱结构的生长进行了研究.我们对InP过渡层的厚度、InGaP垒的组分和厚度等参数进行了优化,并生长出高质量的InAs<,0.618>P(7.1nm)/=InP(1.7nm)/InGa<,0.2>P(6.0nm)应变补偿多量子阱结构,其室温PL谱FWHM为18.7meV,与当前文献中报道的最好水平相当.我们还对结构相同,但阱数不同的InAsP/InP/InGaP/InP应变补偿多量子阱结构进行了比较,发现在当前生长条件下,7个阱比较有利于器件的制作.
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