全光磁反转作为一种全新的磁记录技术通过超快脉冲激光来实现对磁信息的操控达到超高密度磁信息的存储。Tb Co薄膜是一种亚铁磁性耦合的材料,且具有比较大的磁各向异性能,因而有希望成为全光磁反转的材料。本文基于matlab计算软件和差分算法首先依据双温度模型计算模拟了超短脉冲激光照射后Tb Co薄膜的自由电子气温度和晶格温度,然后计算研究了脉冲激光的能量密度、材料的组分以及自由电子气声子耦合常数对Tb Co薄膜中磁动态在时间尺度上的变化影响,最后计算研究了脉冲激光的能量密度、材料的组分对Tb Co薄膜中Co亚晶格磁化翻转区域分布的影响。研究结果表明,Tb亚晶格与Co亚晶格有着完全不同的磁动态,Co亚晶格总是先于Tb亚晶格发生磁化反转。脉冲激光的能量密度越高,Tb Co中Tb亚晶格的磁化反转时间会相对的提前。对于不同组分的Tb Co薄膜,在较高能量密度脉冲激光作用下的Tb Co薄膜都能发生全光磁反转,但是在较低能量密度的脉冲激光作用下只有Tb组分较低的薄膜才会发生磁化反转。较低的自由电子耦合常数,只需较低能量密度的脉冲激光即可实现磁化反转。此外,在0.20到0.28之间小范围内改变Tb的组分对自由电子气温度分布几乎没有影响。相同组分的Tb Co薄膜,使用的脉冲激光能量密度越高,Co亚晶格的磁化反转区域越大。对于相同能量密度的脉冲激光,使用的Tb Co薄膜中Tb组分越高,Co亚晶格的磁化反转区域越小且反转畴磁化更加均匀。