本文详细介绍了一种新型的探测器碲锌镉（CdZnTe）化合物半导体探测器，用²⁴¹Am同位素激发源，对其能谱进行了细致的研究。在研究基础上，编写了针对CdZnTe探测器的能谱分析程序。然后，将这套系统用在X射线荧光分析中，替代了NaI（T1）、Si（Li）、HPGe等传统的探测器，测量并分析了实际样品的X荧光能谱，采用改进的L-T-P方程对样品的基体效应进行校正。分析结果的最大相对误差小于7％，平均相对误差小于3％，结果是令人满意的，能够满足工业和一般科研要求。如果再对程序做适当的改进，就可以比较方便的用于工业在线检测和科研领域。 通过实验发现，CdZnTe探测器所测的能谱谱峰不对称，谱峰低能端有明显得拖尾现象。谱峰能量小于40KeV时，拖尾不明显，谱峰近似为高斯形。谱峰能量越高，拖尾越严重。对于²⁴¹Am激发源，其碲和镉的X射线逃逸峰很明显，这对谱仪的能量刻度是很有利的。实验所用CdZnTe探测器为平板型铂电极，所测谱峰较宽。 对于定量分析，考虑到实际条件，采用经验系数法来校正样品的基体效应。在样品选择方面，考虑到探测器性能，选择原子序数间隔较大，又具有代表性的Cu、Mo、Sn三种金属来制作样品。实验中，采用强度校正方程、浓度校正模式的L-T方程和L-T-P方程这三种方法对样品测量结果进行了校正，发现L-T-P方程所得结果误差非常大。仔细分析后，对此方程进行改进，然后重新对测量结果进行校正，所得结果的平均相对误差小于3％，优于其他两种方法。实验中，还通过改进ROI设置方式，进一步减小了结果误差。 文章最后对误差做了较为详细的分析，讨论了减小误差的一些方法。