本文重点研究了一种新的技术手段——热等离子体射流制备AlN陶瓷粉。报道了理论计算等离子体特性与放电功率的关系；作为原料的铝颗粒在反应环境中的气化时间尺度，以及根据理论分析选择的实验装置和所得的实验结果。同时对其它多种制备方法进行了介绍和评价。同其它的方法相比热等离子体射流法具有显著的优点。该方法使用的设备较简单；产品纯度高、粒径细、分散性好，是电子工业用于基片生产和封装的理想材料。 文章分为五大部分。第一部分对AlN材料的生产方法、状况作了评述，特别的，将两种等离子体方法（等离子体转移弧方法、等离子体射流方法）和其它主要的生产AlN的方法（直接氮化法、碳热还原法）进行了比较。第二部分利用沙哈方程和能量平衡方程在一定电功率下求取等离子体的温度和解离度，给出了在实验室条件下的计算结果：在电功率为6kW，氮气放电，氮气送粉，氮气总流量是2.1m³/h的情况下，氮气的解离度为0.0134，等离子体温度为4881K；在电功率为12kW，氮气送粉，氢气放电，氮气流量为0.6m³/h，氢气流量为1.0m³/h，氮气解离度为0.0491，等离子体温度为5482K。第三部分讨论了等离子体和铝粉热传导过程。模型把铝颗粒升温、气化过程分成了四个阶段。第一阶段是铝颗粒从初温升高到铝颗粒熔点的时间t₁；第二阶段是在熔点时铝颗粒完全融化所需时间t₂；第三阶段是铝颗粒从熔点升温到气化点所需时间t₃；第四阶段是颗粒在气化点完全气化所需时间t₄。文章计算了氮气放电，氩气放电，氢气放电和混合气体（氢气：氩气=4：1）放电铝颗粒各阶段所消耗的时间。计算结果显示，在相同温度下，不同放电气体中各阶段消耗的时间是纯氢气＜混合气体＜纯氮气＜纯氩气。第四部分是实验部分，本次实验是在1atm，直流放电装置中产生的热等离子体中合成AlN陶瓷粉。实验证明在该条件下，四川大学硕士学位论文使用铝粉作为原料，在不同的放电气体中（氮气放电，氢气放电）发生反应生成AIN是可行的。通过改变实验的条件，发现电功率的供给大小，原料量的改变，装置的设计以及N万3的使用都会影响原料转化率以及产品质量。第五部分利用第三、第四部分的结论对实验的结果进行了分析，对实验的工艺条件的改进进行了讨论。也对产品的二次氮化的原理进行介绍。 最后根据讨论结果，对今后用热等离子体合成AIN的实验工艺提出了建设性意见。