【摘 要】
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本文是以正硅酸乙酯（TEOS）和氧气（O2）为前驱体,利用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）在硅基底上制备了玻璃态二氧化硅（SiO2）薄膜。试验在PECVDP600离子增强型化学气相沉积设备上完
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本文是以正硅酸乙酯（TEOS）和氧气（O2）为前驱体,利用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）在硅基底上制备了玻璃态二氧化硅（SiO2）薄膜。试验在PECVDP600离子增强型化学气相沉积设备上完成。通过试验研究不同工艺条件如RF功率、沉积温度、气体流量、反应压力和反应时间对成膜质量的影响,优化工艺过程,获得了光学性质较好的SiO2薄膜。研究讨论了沉积速率、薄膜应力和薄膜折射率随不同的工艺条件变化的关系,并且利用XRD、SEM等仪器对SiO2膜的表面和膜厚进行了测试分析。经过测试可知,用PECVD法沉积制备SiO2薄膜是表面均匀并且致密的非晶态薄膜结构。
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