在信息化高速发展的今天,大规模集成电路技术和终端显示技术成为信息化社会的两大最重要的支柱技术。传统的Si基半导体工艺存在投资成本高、制备工艺复杂、不适宜柔性基底和大面积生产的不足。近十几年来,一种新颖的、低成本制备的电子器件—有机薄膜晶体管经历了一个快速发展的过程,引起了科学家和产业界人士的注意。这一类有机电子器件的制备工艺简单,成本仅为硅芯片器件的1%-10%,可大面积批量制备,可与柔性衬底兼容,完全满足低端电子产品产业化的要求,成为实现低端低成本大面积柔性平板显示阵列和集成电路的最佳解决方案。然而,有机场效应晶体管性能的快速进步,主要得益于新型有机半导体材料方面的研究进展。本论文研究的是一种新型结构的有机薄膜晶体管—有机静电感应晶体管(Organic Static Inductive Transistor:OSIT)。它具有静电感应晶体管(SIT)的垂直结构,有机半导体材料—酞菁铜(Copper Phthalocyanine:CuPc)作为有源层。本论文主要研究内容是,采用真空蒸镀和磁控溅射等工艺,制备了Cu/CuPc/Al/CuPc/Cu结构的有机静电感应晶体管。源极和漏极分别采用金属Cu薄膜,与酞菁铜活性层形成欧姆接触。栅极金属是Al,与酞菁铜界面形成肖特基势垒。通过施加栅压和漏压,控制肖特基势垒的高度,从而控制越过势垒的载流子数量,达到控制沟道内工作电流的目的。针对已试制成功的有机静电感应晶体管,为了解析OSIT器件的电流-电压(I-V)特性,了解有机电子器件中载流子注入和传输的实质,对OSIT样品的实测I-V特性曲线,进行数据拟合。通过比较理论拟合曲线与实测特性曲线,进一步讨论了不同工作电压范围下,OSIT器件中载流子的注入和传输模式,验证了无机SIT的相关理论对OSIT器件同样适用,并分析了酞菁铜活性层对器件性能的影响,总结了目前本研究中较为合理的工艺条件,为进一步研究打下基础。