【摘 要】
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研究了p型多孔硅(PS)的输运性质.实验证明PS中存在两条导电通道,从金属电极注入到PS中的绝大多数电子将通过杂质能级(低阻通道),而只有极少数的电子到达导导带(高阻通道),这
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研究了p型多孔硅(PS)的输运性质.实验证明PS中存在两条导电通道,从金属电极注入到PS中的绝大多数电子将通过杂质能级(低阻通道),而只有极少数的电子到达导导带(高阻通道),这必然导致p型PS的电致发光效率很低.研究了外加电压对p型PS光致发光(PL)特性的影响.采用建立在颗粒尺寸对数正态分布基础上的模型成功拟合了水热法制备的普通PS和铁钝化多孔硅(IPS)的PL谱.分析表明IPS中硅纳米晶粒的尺寸分布空气中存放时间的延长而发生变化.晶粒尺寸分布的不变性导致了IPS的PL谱不能存放时间的延长而发生蓝移.水热法制备的锰钝化PS表现出奇异的PL特性.其PL谱有三个发光带组成.通过研究样品的FTIR谱和XPS谱分析了样品的表面结构,提出了样品的三层结构模型,以此基础上分析了三个发光带的起源.
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